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文天精策设计的Wafer-to-wafer(晶圆对晶圆)热压键合加热盘,是专为热压键合(TCB)工艺打造的核心组件,热压键合技术其核心是通过同时施加热量与压力,使两片完整晶圆在原子层面实现紧密接触与扩散,最终形成牢固冶金结合,是半导体优良封装、MEMS与微流控器件制造中的关键工艺装备。
热压键合加热盘 | |
材质 | SUS316/因瓦合金/铝合金(根据工艺需求选配) |
温度稳定性 | ±1℃ |
系统控温精度 | 0.5℃(读表精度) |
环境真空度 | 10-5mbar |
工作压力 | 6寸晶圆适配100KN |
加热盘平面度 | ≤10um |
工作温度 | 400℃,最高工作温度:550℃(适配高温热压键合需求) |
升降温速率 | 最大升温速率35℃/min,最大降温速率20℃/min |
适配晶圆尺寸 | 4寸、6寸、8寸、12寸 |
盘面温度均匀性 | 室温~200℃ ±1%;200-500℃ ±1.5% |
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